使用上，如果都是正品的话，二者都是闪存盘，寿命是差不多的。
1、SD卡的优势是集成度更高，更小巧，也就更稳定一些。U盘因为有电路板，有时候还容易焊接不好，有可能摔出毛病。而SD卡基本上不可能摔坏。
2、但U盘有主控，SD没主控，也就意味着，SD卡一旦出现问题，比如突然变成只读了，就无法修复，而U盘是有可能的，可以量产，因为它有主控。
3、但SD卡容易面临使用环境不太好的情况，比如长时间在手机里，高温环境下读写，对寿命的影响比较大。而U盘通常都是外置的，不会长时间在温度太高的环境中使用。
我的U盘用了好几年都没坏....寿命基本差不多，个人觉得闪存卡还是寿命短于U盘
因为U盘是存储芯片焊接在一个微电路板上的，外面还有塑料或者金属的外壳保护，而闪存里面的存储结构更精细，也更容易受到破坏
手机内置存储跟U盘一样，有主控，检测到坏块可以屏蔽，主控还有算法可以优化内存使用寿命，所以耐用。SD卡和TF卡无主控芯片，只有闪存芯片，一旦出现坏块就无法修复和屏蔽，有坏块只能扔掉，否则拷进去的文件经常损坏
1.主流手机存储卡选购小常识
下面，笔者简单的介绍7种在手机上应用比较广泛的存储卡，希望能对你选购手机存储卡提供一定的帮助。
主流手机存储卡种类介绍 SD卡 ：SD卡是一种基于半导体快闪记忆体的存储卡。标准体积为24毫米*32毫米*2.1毫米，重量仅为2克。
SD卡具有容量大、数据传输速度快、安全性强（防写入锁定功能）等优点。SD卡应用非常广泛，现已成为市场占有率最高的一种存储卡。
miniSD卡 ：顾名思义，miniSD卡是在SD卡的基础上“瘦身”而来的小型存储卡。配合专用适配器、miniSD卡就可以变身为SD卡。
需要指出的是，miniSD卡并不具备SD卡那样的防写入锁定功能。miniSD卡主要应用于windows mobile及S60第三版智能手机。
MMC卡：MMC卡是一种资格比较老的存储卡，可以兼容SD卡设备，对于多数应用SD卡机型的手机来说，MMC可以正常使用。外形尺寸约为32毫米*24毫米*1.4毫米，大小如同普通邮票一般。
重量不超过2克，便携性较强。MMC卡的工作电压分为1.8伏和3.6伏，选购时应该注意一下。
MMC卡的传输速度相对来说比较慢，新款手机很少***用MMC卡。 microSD卡：microSD卡又称TF卡，也是从SD卡的基础上改进而来的一种新型存储卡。
它的大小仅为SD卡的四分之一，是目前最小的存储卡。由于体积太小，microSD卡的最大容量受到了限制。
某些存储卡的容量已经达到了8GB，而市面上容量最大的microSD卡仅为2GB。另外，microSD卡内置版权保护管理系统，可以有效遏制恶意共享***。
RS-MMC卡：RS-MMC卡又可称之为MMCmobile卡，是一种针对手机而研发的小型MMC卡。RS-MMC卡支持双电压运行，兼容性比MMC卡更好。
在传输速度、稳定性上要优于MMC卡，主要应用于诺基亚的S60第二版智能手机。 MS卡：MS卡俗称记忆棒，是索尼研发的一种存储卡。
分为长棒和短棒，短棒配合适配器可以变身为长棒。目前在手机上应用的MS卡都是短棒，而且仅为索爱手机所独享。
MS卡具有读取/写入速度快、可靠性高、防尘等优点。 M2卡 ：M2卡是MS卡的改进版，体积更小，更加适合作为新一代手机存储卡。
M2卡的体积仅为MS卡的四分之一，在安全性、传输速度等方面都有所改进，而且支持双电压运行，耗电量比MS卡要低一些。 手机存储卡的选购： 首先，确认要购买何种类型的存储卡。
手机说明书上会标明支持何种存储卡，选购存储卡之前先看一下。如果你的手机支持2种以上规格的存储卡，应该选购传输速度最快、最稳定的一种存储卡。
拿摩托罗拉E680i来说，尽管既支持SD卡又支持MMC卡，但考虑到SD卡在传输速度、稳定性等方面要优于MMC卡，就应该选购SD卡。另外，如果你的手机对存储卡的工作电压有所要求，在挑选存储卡的时候应该看看存储卡包装上的相关标注，以免选购到一款与你的手机不兼容的存储卡。
其次，尽量选择知名品牌的存储卡。存储卡市场需求旺盛，导致杂牌劣质存储卡大量流入市场。
这种杂牌劣质存储卡虽然价格很便宜，但工作不稳定，寿命比较短，严重的还有可能损坏手机。网友们在挑选存储卡的时候一定要选择（SanDisk /索尼/Kingmax等）知名品牌的存储卡，不要为了图便宜而购买杂牌劣质存储卡。
再次，擦亮眼睛，拒绝***货。目前市场有不少“挂着羊头卖狗肉”的***冒存储卡。
这类存储卡看上去是名牌，其实是一些小作坊生产的劣质产品。那么该如何识别***冒存储卡呢？主要有三点，一是要注意包装和做工。
***冒存储卡的包装和做工比较粗糙，和正品存储卡放在一起对比明显。二是要注意防伪标识。
知名品牌的存储卡包装上一般会印有带有认证电话和识别码的防伪标识，你可以拨打认证电话进行正品验证。三是要看价格。
***冒存储卡的价格一般要比正品便宜一半以上。
2.手机内存知识手机内存包括RAM、ROM、FLASH闪存,又看见 爱问知
动态储存和运行内存是不同的 像你问的问题，只有智能手机才比较难搞清楚，首先智能手机通过系统工具程序打开，会显示：C、D、E、Z这几个盘 C(RAM)盘即是手机本身的内存，各个手机型号大小是不一样的 D(ROM)盘即是运行内存，内存越大运行就快流畅，能打开的后台程序就越多，但不能当存储介质 E盘即是外存扩展卡，支持热插热拔的 Z盘手机系统文件夹，大多是防读写受保护的 闪存，即像外存扩展卡那样的大容量储存空间固定在手机中，它的好处是比外存扩展卡读写速快，免热插热拔！像诺基亚新一代机皇N***就是这样一个海量内储的家伙，它本身的闪存达32G还可以连接外存扩展卡16G，达目前最大的48G储存容量。
闪存
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
概念
闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
技术特点
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
单片机闪存
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘***用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
按品牌分
金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK。
NAND型闪存内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资
Sandisk
料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存***用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地***用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
[1] 而比我们平常用的U盘存储量更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它***用低功耗，高性能的闪存存储芯片，以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集
型工作负载，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，***用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，
[1] “闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”
存储原理
要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常***用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
总体来说就是可以存储的设备
以上参考：
